光刻机是生产制造芯片的关键设备，是利用光刻机发出的紫外光源通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片曝光，使光刻胶性质变化、达到图形刻印在硅片上形成电子线路图。
一、我国在光刻机制造行业里的位置。
光刻是最重要的制造芯片工艺技术;光源是光刻机的核心、光刻机首先取决于光源的波长;镜头是核心部分。这三者技术先进程度、直接影响到芯片工艺和芯片性能。而这正是我国在光刻机制造技术上的弱项。
世界目前光刻机生产水平可分三个梯队，第一梯队：美国英特尔、荷兰的ASML、第二梯队：台积电、三星、日本的尼康、佳能。
虽然中国目前高端芯片并不落后，但在性能和成本结合上没能跟上高端芯片商业量产需要。所以，在高端光刻机生产制造上，以0.7nm为一个级数、从技术工艺和市场份额上看，我国堪称是第三梯队水平。
二、我国光刻机发展起步较早，基础并不薄弱。
我国1958年中科院拉出了第一根硅单晶、即今天的硅晶圆，1965年中国研制出了65型接触式光刻机，1977年GK一3半自动光刻机诞生，1980年清华大学研制出第四代分布式投影光刻机、精度达到了3微米、已接近国际主流水平，仅次于美国。
本来我们可以和ASML在EUV光刻机技术上一争雄长，但现在落伍并被拉开了距离，原因多种、但路径选择上重视不够肯定是重大因素。
如：出身于中科院计算机所的柳传志应说离光刻机和芯片最近，1984年联想成立后却最后选择了贸工技路线，最后成了PC生产者和供应商。而台积电的张忠谋虽是机械系出身，看准了半导体优势，开创了半导体代工行业、做成了行业翘楚之一。
三、我国光刻机现状。
当今ASML的EUV光刻机已能用13.5nm极紫外光制程7nm、甚至5nm以下的芯片。而我国主要还是采用深紫外光的193nm制程工艺。如上海微电子装备公司(CMEE)制程90nm工艺的光刻机，相当于2004年奔腾四处理器的水平。
即使中芯国际采用先进技术，也是刚掌握12nm工艺、正在研发10nm工艺，而台积电7nm早已量产、正在开发5nm芯片制程工艺。
在市场份额上、台积电占有了市场份额50%，而中芯国际的市场份额只是台积电的十分之一。
虽然我们也可以用DUV光刻机通过多重曝光和刻蚀方法提升芯片至7nm性能，但成本巨大、良率较低、难以商业化量产。所以差距是明显的。
四、我国光刻机制造、正瞄准目标奋力直追。
EUV光刻机最大特色是高技术的系统性和精密性。光源计量控制、物料设置运作精度、透镜的精密加工、环境精度控制等等，都系统集成了众多高科技技术，是所有半导体生产制造设备中技术含量最高的。
我们为弥补生产高端芯片所需光刻机技术的短板，巳加大了对半导体工业的政策扶持力度。争取在各项先进技术上集中资源联合攻关，集众家之长对重要的生产工艺和设备研发突破。
相信待以时日，我们也一定会拥有完全自主产权的顶级光刻机。用它来制造在5G时代、工业互联网时代所需要的各类高端芯片。